日程

2023年2月27日（月） 12:40～17:10

開催方法・開催場所

• オンライン開催のみ
  URLは、日本学術振興会からのメールに記載予定です。

委員会・研究会資料

こちら からダウンロード頂けます。（委員専用サイトです。随時更新致します。）

第13回委員会

開催時刻：12:40～13:00

＜議題＞

(1) 第3回拡大企画幹事会 議事録案確認
(2) 次回 第14回委員会・第13回研究会（4月開催）について（WG-E 杉山委員）
(3) 次々回 第15回委員会・第14回研究会（6月開催）について（WG-M）
(4) その他

第12回研究会「パワー半導体の最新動向　～シリコンパワー半導体、および次世代材料」

13:00～13:05　はじめに　田畑 仁（東京大学, R025 委員会委員長）
13:05～13:10　本日の研究会について　WG-Pによる企画説明

13:10～13:55 「Siパワーデバイスの技術動向」
　　　　　　　西脇 達也　東芝デバイス＆ストレージ(株)　

13:55～14:40 「SiC MOS界面の欠陥低減技術」
　　　　　　　喜多 浩之　東京大学　

14:40～15:25 「石英フリーHVPE法を用いたGaNホモエピ成長/GaN光電気化学エッチング(PEC etching)」
　　　　　　　堀切 文正　住友化学(株)　 

15:25～15:40 　休憩 (15分)

15:40～16:25 「Ga₂O₃パワーデバイスの開発」
　　　　　　　宮本 広信　(株)ノベルクリスタルテクノロジー

16:25～17:10 「ダイヤモンド結晶の高純度化と高品質化」　
　　　　　　　寺地 徳之　物質・材料研究機構